RITAR述低壓限流斷路器擊穿現(xiàn)象的數(shù)值研究

　　低壓限流斷路器擊穿現(xiàn)象的數(shù)值研究

　　低壓斷路器是低壓配電支路的主開關。隨著電力事業(yè)的發(fā)展，對其數(shù)量要求越來越大，對其開斷性能要求也越來越高，但低壓斷路器的設計長期以來憑借經驗，通過樣機制作和大量試驗來確定設計方案，需要耗費大量人力、物力，并且新產品開發(fā)周期很長，不能適應我國電力事業(yè)的發(fā)展。近年來，由于計算機技術的發(fā)展和開關電弧數(shù)學模型研究方面的成就，使低壓斷路器開斷特性的計算機數(shù)值分析成為可能。人們開始探索以磁流體動力學為基礎的低壓電器開關電弧動態(tài)模型的建立，原先這種模型在高壓噴口電弧的描述方面國內外都有一些工作，因為噴口電弧是軸對稱問題，邊界條件比較簡單而低壓開關電弧在自由空間受磁場驅動而運動，計算條件比噴口電弧復雜得多。從1996年開始國外才有這方面的報導，但計算的對象都限制在一個簡單的空腔內，沒有涉及實際的斷路器滅弧室，也沒有和整個開斷過程結合起來。另外在低壓限流斷路器中也有其復雜的物理現(xiàn)象。

　　與一般斷路器的滅弧室不同，低壓限流斷路器的滅弧室采用多個滅弧柵片。在開斷過程中，首先動觸頭和靜觸頭分開產生電弧，在電磁場和熱場、流場的作用下運動至滅弧柵片。當電弧進入柵片后，由于被分成的多個短弧的近極壓降，使電弧電壓迅速上升，從而達到限流的目的。但也正是為了有較高的電弧電壓，限流斷路器滅弧室的柵片數(shù)比一般的斷路器要多，并且排列得更緊密。電弧進入柵片瞬間，它的背后區(qū)域即跑弧道上仍存在一定的游離氣體，由于突然產生較高的電弧電壓會使背后區(qū)域發(fā)生擊穿而出現(xiàn)新的電弧，這一新的電弧通道短接了柵片中的電弧，而使已進入柵片的電弧消失，這就是被稱為電弧背后擊穿現(xiàn)象，這種現(xiàn)象在斷路器開斷路器開斷波形如所示，它降低了限流斷路器的限流特性，使燃弧時間增長。

　　首次用快速攝象機觀察到電弧的背后擊穿現(xiàn)象。

　　他們還采用微波穿透技術發(fā)現(xiàn)在低壓斷路器開斷過程中，電弧電壓發(fā)生突降前，將要發(fā)生背后擊穿的間隙都出現(xiàn)溫度的上升，這是由于電弧的熱氣流經過滅弧室的后壁的反射進入相應區(qū)域的結果。游離氣體進入和溫度的上升，使相應區(qū)域的臨界電場強度降低，容易導致背后擊穿。法國的C.Fievet等人也發(fā)現(xiàn)，在電弧經過區(qū)域的溫度仍然還較高，存在有剩余電流，會以熱擊穿的形式導致背后擊穿。德國的ManfredLindmayei教授初步提出了基于熱擊穿的背后擊穿模型，這個模型采用熱場，對背后擊穿進行了初步的模擬。

　　本文就是在這些工作的基礎上進行更加深入的研究，主要對象為單相限流開斷的微型斷路器，以磁流體動力學為基礎，綜合流場、電磁場、溫度場等計算建立低壓斷路器開斷電弧的動態(tài)數(shù)學模型。與國外的簡單空腔幾何模型為對象不同，本課題直接以實際低壓斷路器的滅弧室為研究對象。與國外工作相比，充分利用電磁場和氣流場數(shù)值計算求肖解考慮了較多影響開斷特性的因素，使電弧的數(shù)學模型更符合實際。利用建立的電弧動態(tài)數(shù)學模型，對目前低壓斷路器中影響開斷性能的背后擊穿現(xiàn)象進行理論分析。這樣不僅為斷路器數(shù)學模型，也對背后擊穿現(xiàn)象這一難題提出了理論上的依據。

　　2考慮背后擊穿現(xiàn)象的電弧數(shù)學模型電弧燃燒時既不是簡單的一根線，也不是簡單的柱體。充分燃燒時，電弧很大程度上充滿了滅弧室，是一團高溫的等離子體這種情況下，用場區(qū)域模型來描述電弧是符合實際的。

　　背后擊穿的計算是將整個斷路器區(qū)域作為一個模型而采用場域計算。在計算中將其差分為多個小單元，溫度大于5000K的認為是電弧區(qū)域。根據各個小單元區(qū)域的溫度決定其電導及在兩個電極之間的總電阻，從而決定電流在各單元區(qū)域的分布，根據tk-1時刻的電流分布可以得出tk時刻各單元的溫度，電路電流及斷路器內各單元的電流分布，并作為熱源計算tkh時刻的電弧參數(shù)。在電弧進入滅弧柵片之前，沒有近極壓降，斷路器的整個區(qū)域電阻直接由每個小單元區(qū)域的電阻并、串聯(lián)而得到，電弧區(qū)域溫度最高，電弧弧柱區(qū)的等效電阻遠遠小于其它區(qū)域的電阻。當電弧進入滅弧室之后，電弧背后區(qū)域包括觸頭區(qū)及跑弧區(qū)。此時滅弧柵片將電弧分成多個短弧，利用近極壓降使電弧電壓上升，而通過電弧的電流是隨著電弧溫度下降及電弧背后區(qū)域溫度的上升而減小的。電弧可以等效為一個可變電阻。

　　這時的電弧電壓由于近極壓降相對保持一個較高的值，而電流減小，等效電阻越來越大，在電弧背后的區(qū)域則是一個高溫導電通道，其電阻不斷下降。隨著電弧背后區(qū)域的電阻逐漸減小，電流漸漸被此導電通道所轉移，使這一區(qū)域的溫度迅速升高，電阻進一步迅速減小。將區(qū)域溫度最高處認為是電弧中心，當電弧中心出現(xiàn)在滅弧柵片之外后，則由于沒有了近極壓降而引起電弧電壓突降，產生背后擊穿。

　　電弧屬于低溫等離子體。在研究它的宏觀運動時，常?？梢詫⑺暈榱黧w處理。但與簡單流體不同，這種流體是導電的粒子所組成，在運動中與磁場相互發(fā)生復雜作用，因此對于它的物理過程要用磁流體動力學來描述。

　　建立的電弧模型是一個二維磁流體模型。取斷路器的一個截面如所示進行計算。為模擬具有背后擊穿現(xiàn)象的斷路器的開斷過程需要一個合理的模型。在以往的研究工作中，許多是簡化電弧的物理特性來計算電弧的電流電壓，這在已知電弧的物理特性時，可以很好地模擬出電弧的電流電壓關系。但對于研究電弧的實際物理現(xiàn)象時就無能為力。電弧的二維模型斷路器中的開斷電弧滿足下列方程。場對它的作用力，與流體運動的方向相反，阻止流體質量連接方程的運動。

　　斷路器中每個小單元區(qū)域的電阻是動量守恒方程壓力。

　　能量方程(s);K為熱傳導系數(shù);為熱源項。

　　在計算時將斷路器作為一整個區(qū)域。根據限流斷路器內的溫度分布(包括電弧區(qū)域)，計算電流的分布，作為耦合場的熱源。電阻小的區(qū)域所分配的電流大，產生的熱量也較大，溫度上升得快。

　　在每一層每個單元的電流密度是定，是根據文查表并且進行插值得來。也就是說，對于在整個限流斷路器的區(qū)域中的電流分布，是根據由溫度分布不均導致的電阻分布而決定的。隨著電弧背后區(qū)域的電阻逐漸減小，電流漸漸被此導電通道所轉移，引起電弧電壓突降，產生背后擊穿。

　　電弧溫度非常高，除了傳導及對流，還有部分能量變化通過輻射的方式。對于電弧中的輻射，由于電弧是低溫等離子體可以視為處于熱平衡和局部熱平衡狀態(tài)，因此可以直接用輻射公式來計算。

　　電弧輻射所發(fā)射出的能量是定于電極兩端距離;i，小單元的面積。

　　整個區(qū)域的總電阻由各個小單元的電阻并聯(lián)而得。

　　計算中以斷路器的兩端封閉為邊界條件。所模擬的斷路器模型在一個LC單頻振蕩回路中進行計蕩回路中電容的初始電壓;C為電容。

　　當斷路器開斷后產生電弧，電弧與周圍的熱氣體有較大的溫差，根據它們的電導不同，電流主要是從電弧流過。電弧在流過電弧的強大短路電流與磁場的作用下，一方面進行熱交換，通過熱傳導、對流及輻射多種方式進行能量傳送，進行自身的膨脹以及加熱周圍的氣體另一方面，在磁場力的作用下向前運動。在這個過程中，斷路器內的溫度、壓力的分布以及電弧的參數(shù)都發(fā)生了變化，這些參數(shù)的變化對電弧的運動及氣流變化起作用，最后電弧在氣流與磁場力的綜合作用下向前運動。

　　電弧的整個能量過程如所示。

　　射常數(shù);T為溫度;T為周圍溫度。

　　磁場中的電弧等離子體受到磁場力的驅動電弧等離子體在磁場中運動時，必然存在導電流體與電磁場之間的相互作用。由于導電流體相對于磁場的運動，按照法拉弟電磁感應定律，在流體中電弧能量過程對方程的求解采用有限差分法，采用內結點法，采用了ADI方法(交替方向隱式方法)。在計算中采用交錯網格。

　　必然產生而個感應電場，由此產生感應藤受到磁dishingH計墓中中以斷路器的兩端封閉為邊界條件ki所模4結論低壓限流斷路器在開斷時會出現(xiàn)背后擊穿現(xiàn)象，導致電弧電壓的突降，影響了其開斷性能。實驗證明，它與相應區(qū)域溫度上升，臨界電場強度降低以及剩余電流的存在等有關。本文通過對背后擊穿的分析，依據熱擊穿的原理，建立了以磁流體動力學為基礎的低壓電器開關電弧動態(tài)模型。結合氣流場、熱場與磁場以及電流的分布對限流斷路器進行數(shù)值計算，結果證明本模型很好地模擬了在限流斷路器中的背后擊穿現(xiàn)象與實際開斷中背后擊穿中的電弧電壓跌落基本符合，為今后在低壓斷路器中開斷特擬的斷路器模型在一個LC單頻振蕩回路中進行計算。LC電路的預期電流是3000A，頻率是50Hz.是模擬計算的電壓電流波形圖，根據實驗數(shù)據，計算模擬的斷路器在0.8ms后脫扣器動作，隨著電弧運動上跑弧道并逐漸被拉長，電弧電壓逐漸上升，當電弧進入柵片時，電壓迅速上升到一個較高的值，電流得到限制，開始由峰值下降。根據本文提出的背后擊穿模型，隨著背后擊穿區(qū)域的電阻逐漸減小，電流漸漸從這一導電區(qū)域通過，使這一區(qū)域的溫度迅速升高，電阻迅速減小，在2.16ms時電弧電壓跌落，出現(xiàn)了背后擊穿。是實驗中得到的開斷電壓電流波形圖。電壓為100V/格，電流為1000A/格，時間為0.625ms/格。

　　計算模型也較好的模擬了背后擊穿現(xiàn)象。

　　計算結果實驗結果實際峰值電流(A)最大電弧電壓(V)是獲得的不同時刻場域溫度分布情況。若以溫度最高處為電弧中心，則由可看出電弧運動過程：1.92ms時電弧已經進入滅弧柵片，電弧電壓迅速上升，電弧的等效電阻則由于近極壓降相對保持一個較高的值，而背后擊穿區(qū)域電阻則不斷下降。隨著背后擊穿區(qū)域的電阻逐漸減小，電流漸漸從這一導電區(qū)域通過，使這一區(qū)域的溫度迅速升高，電阻迅速減小，引起電弧電壓突降，產生背后擊穿。

　　在2.16ms時電弧已經退出了滅弧柵片。

　　的膨脹，使得一次風向外擴散的速率較慢，更多的顆粒停留在中心區(qū)域使得該區(qū)域顆粒濃度較高，在x/d=1以后，隨著射流的發(fā)展顆粒才擴散開來。

　　對于a=30°擴口，由于擴口對一次風的導流作用較大，引起了一次風的向外膨脹，使得靠近高溫回流區(qū)處煤粉濃度的降低，不利于形成有利于火焰穩(wěn)定的高溫、高濃度區(qū)域將影響煤粉的著火和穩(wěn)燃。因此，從燃燒的角度來看的，a選取不易過大。較小的a，有利于保持一次風中較高的煤粉濃度，發(fā)揮高濃度煤粉良好的著火特性，使煤粉氣流著火提前，提高燃燒效率。同時也可使一次風氣流在氧濃度不高的環(huán)境中燃燒，有利于減少NOx的生成。

　　4結論通過以上分析我們可以得出以下結論：淡一次風擴口角度a的增大，將氣流沿徑向導向外側，使得中心回流區(qū)尺寸增大，射流擴角增大，回流量增大，對劣質煤的燃燒有利。但過大的擴口角度，對一次風的導流作用加強，使得煤粉濃度的峰值沿徑向外移，導致回流區(qū)附近顆粒濃度降低，不利于強化煤粉燃燒和NOx的降低。

　　隨著淡一次風擴口角度a的增大，使出口氣流的湍流脈動水平明顯提高，強化了氣流之間的熱量和質量交換，對煤粉的著火和穩(wěn)燃均十分有利。

　　但淡一次風擴口角度的進一步增大，會增大二次風的阻力，削弱旋流二次風的強度。因此淡一次風擴口角度的選取在結合具體爐型和煤種來考慮的同時，還應與擴口口徑、噴口流速相匹配。

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